ROHM Semiconductor BC858BT116

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

Number of Elements

1

hFEMin

210

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

BC85*

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

210 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-100mA

集电极-基极电容-最大值

5pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅