ROHM Semiconductor BCX19T116

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

620mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

425mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

BCX19

元素配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

620mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

620mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

500mA

VCEsat-最大值

0.7 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅