ROHM Semiconductor DTA114TMT2L
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DTA114TMT2L
2078-DTA114TMT2L
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-723
大陆
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TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
--最小包装量--
DTA114TMT2L详情
ROHM Semiconductor DTA114TMT2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
-100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最小直流增益(hFE)
100
连续集电极电流
-100mA
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTA114TMT2L拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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