DTA114TMT2L
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ROHM Semiconductor DTA114TMT2L

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型号

DTA114TMT2L

utmel 编号

2078-DTA114TMT2L

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

起订量

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DTA114TMT2L
DTA114TMT2L ROHM Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

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DTA114TMT2L详情

ROHM Semiconductor DTA114TMT2L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-723

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    100

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e2

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Copper (Sn/Cu)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 电压 - 额定直流

    -50V

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    -100mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    150mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 转换频率

    250MHz

  • 最大击穿电压

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    -5V

  • 最小直流增益(hFE)

    100

  • 连续集电极电流

    -100mA

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & DTA114TMT2L相似的参数规格。

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