ROHM Semiconductor DTB113E
- 收藏
- 对比
DTB113E
2078-DTB113E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
--
大陆
立即发货

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
1最小包装量--
DTB113E详情
ROHM Semiconductor DTB113E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 29-11
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DTB113E
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.47
Part Package Code
TO-92
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-92
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
3
集电极-发射器电压-最大值
50 V
DTB113E拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。