DTB113E
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ROHM Semiconductor DTB113E

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型号

DTB113E

utmel 编号

2078-DTB113E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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DTB113E ROHM Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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DTB113E详情

ROHM Semiconductor DTB113E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    CASE 29-11, TO-226, 3 PIN

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 29-11

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    DTB113E

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.47

  • Part Package Code

    TO-92

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    3

  • 集电极-发射器电压-最大值

    50 V

0个相似型号

DTB113E拓展信息

2SB1188T100R
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2SC4617TLQ
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2SD1898T100R
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2SA1579T106R
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2SB1132T100R
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2SB1197KT146R
2SB1197KT146R

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2SA1037AKT146R
2SA1037AKT146R

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