ROHM Semiconductor DTB114TKT146

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

59

hFEMin

100

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

DTB114

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

PNP

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

电阻基(R1)

10 k Ω

VCEsat-最大值

0.3 V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅