ROHM Semiconductor DTDG14GPT100

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Number of Elements

1

hFEMin

300

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

DTDG14

引脚数量

3

最大输出电流

1A

工作电源电压

60V

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 500mA

转换频率

80MHz

最大击穿电压

60V

频率转换

80MHz

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω

VCEsat-最大值

0.4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅