ROHM Semiconductor EMB2FHAT2R
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EMB2FHAT2R
2078-EMB2FHAT2R
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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PNP PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
--最小包装量--
EMB2FHAT2R详情
ROHM Semiconductor EMB2FHAT2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
最大耗散功率(Abs)
0.15W
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EMB2FHAT2R拓展信息







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