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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.346697
500
¥0.254924
1000
¥0.212439
2000
¥0.194899
5000
¥0.18215
10000
¥0.16944
15000
¥0.16387
50000
¥0.161128
ROHM Semiconductor UMH10NTN
- 收藏
- 对比
UMH10NTN
2078-UMH10NTN
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UMH10NTN详情
ROHM Semiconductor UMH10NTN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
hFEMin
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21
HTS代码
8541.21.00.75
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MH10
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
150mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
2.2k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
UMH10NTN拓展信息







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