ROHM Semiconductor UMF5NTR
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UMF5NTR
2078-UMF5NTR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
--最小包装量--
UMF5NTR详情
ROHM Semiconductor UMF5NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
hFEMin
68
Number of Elements
2
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
已出版
2002
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN/TIN COPPER
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大功率耗散
150mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MF5
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
极性
NPN, PNP
通道数量
2
最大电源电压
50V
元素配置
Dual
最小输入电压
-10V
晶体管应用
SWITCHING
最大输入电压
40V
晶体管类型
1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V 12V
转换频率
250MHz
最大击穿电压
12V
频率转换
250MHz 260MHz
电阻基(R1)
47k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
宽度
1.25mm
长度
2mm
高度
900μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
UMF5NTR拓展信息









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