Rohm Semiconductor EMB52T2R

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

EMT6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements per Chip

2

Package Type

SOT-563

Maximum Collector Emitter Voltage

-50 V

Maximum DC Collector Current

100 mA

Minimum DC Current Gain

80

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

-

Transistor Polarity

Dual PNP

Typical Resistor Ratio

1

Pd - Power Dissipation

150 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Typical Input Resistor

47 kOhms

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

EMB52

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum Operating Frequency

250 MHz

RoHS

Details

Package Description

ROHS COMPLIANT, EMT6, SC-107C, 6 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

EMB52T2R

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

2.36

系列

-

包装

切割胶带

ECCN 代码

EAR99

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

输出电压

150 mV

配置

Dual

功率耗散

150mW

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

2 PNP Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

250MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

80

电阻基(R1)

47kOhms

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased