EMD6FHAT2R
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ROHM Semiconductor EMD6FHAT2R

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型号

EMD6FHAT2R

utmel 编号

2078-EMD6FHAT2R

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PNP NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

起订量

--最小包装量--

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EMD6FHAT2R
EMD6FHAT2R ROHM Semiconductor PNP NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

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EMD6FHAT2R详情

ROHM Semiconductor EMD6FHAT2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • Number of Elements

    2

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F6

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN和PNP

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 1mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 转换频率

    250MHz

  • 频率转换

    250MHz

  • 电阻基(R1)

    4.7k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ROHM Semiconductor EMD6FHAT2R.

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