ROHM Semiconductor EMD9FHAT2R

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

包装

Cut Tape (CT)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

68 @ 5mA 5V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

10k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

达到SVHC

Unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant