ROHM Semiconductor EMF22T2R

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

引脚数

6

Number of Elements

2

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA 500mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

hFEMin

270

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e2

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Dual

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 12V

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz 320MHz

电阻基(R1)

10k Ω

电阻-发射极基极(R2)

10k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅