EMX1FHAT2R
EMX1FHAT2R

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

ROHM Semiconductor EMX1FHAT2R

  • 收藏
  • 对比

型号

EMX1FHAT2R

utmel 编号

2078-EMX1FHAT2R

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NPN NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
EMX1FHAT2R
EMX1FHAT2R ROHM Semiconductor NPN NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:8000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

EMX1FHAT2R详情

ROHM Semiconductor EMX1FHAT2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    150mA

  • Number of Elements

    2

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 1mA 6V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    400mV @ 5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 转换频率

    180MHz

  • 频率转换

    180MHz

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor EMX1FHAT2R.

EMX1FHAT2R拓展信息

EMZ7T2R
EMZ7T2R

ROHM Semiconductor

UMZ1NTR
UMZ1NTR

ROHM Semiconductor

IMT1AT110
IMT1AT110

ROHM Semiconductor

QSX8TR
QSX8TR

ROHM Semiconductor

EMX1T2R
EMX1T2R

ROHM Semiconductor

EMT1T2R
EMT1T2R

ROHM Semiconductor

UMX18NTN
UMX18NTN

ROHM Semiconductor

EMX18T2R
EMX18T2R

ROHM Semiconductor

UMT18NTR
UMT18NTR

ROHM Semiconductor

IMT17T110
IMT17T110

ROHM Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z