ROHM Semiconductor EMX1FHAT2R
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EMX1FHAT2R
2078-EMX1FHAT2R
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
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NPN NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
--最小包装量--
EMX1FHAT2R详情
ROHM Semiconductor EMX1FHAT2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
150mA
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
极性
NPN
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
2 NPN (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
180MHz
频率转换
180MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EMX1FHAT2R拓展信息







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