ROHM Semiconductor EMZ52T2R
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EMZ52T2R
2078-EMZ52T2R
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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PNP NPN DRIVER TRANSISTOR. 2SAR5
--最小包装量--
EMZ52T2R详情
ROHM Semiconductor EMZ52T2R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
NPN, PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
350MHz
频率转换
350MHz 300MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
EMZ52T2R拓展信息







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