ROHM Semiconductor MMST6428T146

工厂交货时间

9 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

59

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

hFEMin

250

操作温度

125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

700MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA

最高频率

700MHz

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

集电极-基极电容-最大值

3pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅