ROHM Semiconductor MMSTA06T146
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MMSTA06T146
2078-MMSTA06T146
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 80V 0.5A SOT-346
--最小包装量--
MMSTA06T146详情
ROHM Semiconductor MMSTA06T146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Number of Elements
1
hFEMin
100
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
STA06
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
1μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
VCEsat-最大值
0.25 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMSTA06T146拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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