ROHM Semiconductor MMSTA64T146

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

300mA

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

hFEMin

10000

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

125MHz

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

转换频率

125MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

500mA

集电极-基极电容-最大值

7pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅