ROHM Semiconductor MP6M63TR
- 收藏
- 对比
MP6M63TR
2078-MP6M63TR
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Description: Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.077ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MPT6, 6 PIN
1最小包装量--
MP6M63TR详情
ROHM Semiconductor MP6M63TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Drain Current-Max (ID)
5 A
Number of Elements
2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.077 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
MP6M63TR拓展信息









哦! 它是空的。