ROHM Semiconductor RDX030N60
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RDX030N60
2078-RDX030N60
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FM, 3 PIN
1最小包装量--
RDX030N60详情
ROHM Semiconductor RDX030N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Package Code
TO-220AB
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
3 A
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Number of Elements
1
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
3.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
28 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
30 W
RDX030N60拓展信息










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