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ROHM Semiconductor TT8M11TCR

Name: TT8M11TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 2078-TT8M11TCR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TT8M11TCR

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-TT8M11TCR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSST8, 8 PIN

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TT8M11TCR ROHM Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSST8, 8 PIN

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TT8M11TCR详情

技术参数

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ROHM Semiconductor TT8M11TCR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

不推荐
Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Drain Current-Max (ID)

3 A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

2
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

10
JESD-30代码

R-PDSO-F8
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.109 Ω
DS 击穿电压-最小值

30 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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