ROHM Semiconductor MP6Z13TR
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MP6Z13TR
2078-MP6Z13TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-SMD, Flat Leads
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TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT
1最小包装量--
MP6Z13TR详情
ROHM Semiconductor MP6Z13TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
2W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
350mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 50mA 3V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 50mA, 1A / 400mV @ 50mA, 1A
转换频率
320MHz
频率转换
320MHz 300MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MP6Z13TR拓展信息







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