ROHM Semiconductor QDZT18R5.6
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QDZT18R5.6
2078-QDZT18R5.6
二极管 - 齐纳 - 单
2-XDFN
大陆
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RASMID SERIES - ZENER DIODE. QD
--最小包装量--
QDZT18R5.6详情
ROHM Semiconductor QDZT18R5.6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
2-XDFN
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
0.2W
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
RASMID
容差
±8.92%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBCC-N2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
500nA @ 2.5V
功率 - 最大
200mW
参考电压
5.6V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
5.6V
最大电压允差
8.93%
工作测试电流
10mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
QDZT18R5.6拓展信息
ROHM Semiconductor
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