ROHM Semiconductor R6025ANZ
- 收藏
- 对比
R6025ANZ
2078-R6025ANZ
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN
1最小包装量--
R6025ANZ详情
ROHM Semiconductor R6025ANZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Package Code
TO-3PF
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Drain Current-Max (ID)
25 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
265
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
39 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
R6025ANZ拓展信息










哦! 它是空的。