RD3L08CGNTL
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ROHM Semiconductor RD3L08CGNTL

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型号

RD3L08CGNTL

utmel 编号

2078-RD3L08CGNTL

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor,

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1最小包装量--

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RD3L08CGNTL
RD3L08CGNTL ROHM Semiconductor Power Field-Effect Transistor,

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RD3L08CGNTL详情

ROHM Semiconductor RD3L08CGNTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Contact plating

    gold-plated

  • 表面安装

    YES

  • Number of pins

    32

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of connector

    pin strips

  • Connector

    socket

  • Kind of connector

    female

  • Spatial orientation

    straight

  • Contacts pitch

    2.54mm

  • Electrical mounting

    SMT

  • Connector pinout layout

    2x16

  • Row pitch

    2.54mm

  • Gross weight

    1.81 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Date Of Intro

    2016-08-19

  • Drain Current-Max (ID)

    80 A

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • Operating temperature

    -40...163°C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • Current rating

    1.5A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.007 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    160 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    52 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • Rated voltage

    60V

  • 个人资料

    beryllium copper

  • 饱和电流

    1

  • Plating thickness

    0.254µm

  • Flammability rating

    UL94V-0

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技术文档: ROHM Semiconductor RD3L08CGNTL.

RD3L08CGNTL拓展信息

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