ROHM Semiconductor RJP020N06FRAT100
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RJP020N06FRAT100
2078-RJP020N06FRAT100
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Small Signal Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
RJP020N06FRAT100详情
ROHM Semiconductor RJP020N06FRAT100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Date Of Intro
2016-06-14
Drain Current-Max (ID)
2 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.3 Ω
DS 击穿电压-最小值
60 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
2 W
反馈上限-最大值 (Crss)
45 pF
RJP020N06FRAT100拓展信息









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