ROHM Semiconductor RLZTE-114.7C
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RLZTE-114.7C
2078-RLZTE-114.7C
二极管 - 齐纳 - 单
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
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DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
1最小包装量--
RLZTE-114.7C详情
ROHM Semiconductor RLZTE-114.7C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
安装类型
表面贴装
二极管元件材料
SILICON
Power Dissipation (Max)
0.4W
Operating Temperature (Max.)
175°C
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
容差
±3%
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
5μA @ 1V
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500mW
阻抗-最大
25Ohm
参考电压
4.7V
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
4.7V
工作测试电流
20mA
反向电流-最大值
5μA
膝阻抗-最大
900Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
RLZTE-114.7C拓展信息
ROHM Semiconductor
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