ROHM Semiconductor RPI-0226

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Module, Flat Lead, Slot Type

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

操作温度

-30°C~85°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

类型

Unamplified

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

80mW

功能数量

1

输出类型

Phototransistor

通道数量

1

输出配置

Transistor

功率耗散

80mW

正向电流

50mA

回应时间

10μs

上升时间

50μs

下降时间（典型值）

50 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

30mA

感应距离

0.047 (1.2mm)

最大击穿电压

30V

槽宽-Nom

2mm

通态集电极电流标称

30mA

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅