ROHM Semiconductor RPI-579N1

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

PCB 安装

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

操作温度

-25°C~85°C

包装

Tube

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

1.3V

功能数量

1

通道数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

80mW

正向电流

50mA

上升时间

10μs

正向电压

1.3V

下降时间（典型值）

10 μs

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

30mA

感应距离

0.197 (5mm)

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

50mA

暗电流（最大）

500nA

槽宽-Nom

5mm

间隙尺寸

5mm

高度

10mm

长度

13.8mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅