ROHM Semiconductor RSR025N03TR
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RSR025N03TR
2078-RSR025N03TR
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT3, 3 PIN
1最小包装量--
RSR025N03TR详情
ROHM Semiconductor RSR025N03TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Drain Current-Max (ID)
2.5 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.115 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
RSR025N03TR拓展信息









哦! 它是空的。