ROHM Semiconductor RTR020P02
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RTR020P02
2078-RTR020P02
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
--最小包装量--
RTR020P02详情
ROHM Semiconductor RTR020P02重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
Housing material
Nylon-66 (UL94V-0)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Gross weight
0.13
Transport packaging size/quantity
50*50*29/101500
Contact pitch
2.54 mm
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Drain Current-Max (ID)
2 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
Connector type
Low-voltage power connector (socket) series H-XX
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
深度
8 mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
Number of contacts
2
Wire gauge
28AWG…22AWG
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
Operating temperature range
-25…+85 °C
漏极-源极导通最大电阻
0.15 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1 W
饱和电流
1
高度
5.6 mm
宽度
5.7 (housing); 7.3 (overall) mm
RTR020P02拓展信息









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