ROHM Semiconductor RUQ050N02
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RUQ050N02
2078-RUQ050N02
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSMT6, 6 PIN
1最小包装量--
RUQ050N02详情
ROHM Semiconductor RUQ050N02重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Drain Current-Max (ID)
5 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RUQ050N02拓展信息









哦! 它是空的。