注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

ROHM Semiconductor S2301

Name: S2301
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 2078-S2301
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

S2301

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-S2301

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1200V, 0.111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

S2301 ROHM Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1200V, 0.111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

S2301详情

技术参数

PDF文档

ROHM Semiconductor S2301重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
晶体管元件材料

碳化硅
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD
Package Description

UNCASED CHIP, X-XXUC-N
Drain Current-Max (ID)

40 A
Number of Elements

1
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

UNSPECIFIED
Package Style

UNCASED CHIP
ECCN 代码

EAR99
端子位置

UNSPECIFIED
终端形式

无铅
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
JESD-30代码

X-XXUC-N
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.111 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A
DS 击穿电压-最小值

1200 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

S2301拓展信息

热销零件