SCT2160KE
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ROHM Semiconductor SCT2160KE

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型号

SCT2160KE

utmel 编号

2078-SCT2160KE

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1200V, 0.208ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SCT2160KE
SCT2160KE ROHM Semiconductor Description: Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1200V, 0.208ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SCT2160KE详情

ROHM Semiconductor SCT2160KE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    碳化硅

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Drain Current-Max (ID)

    22 A

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.208 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    55 A

  • DS 击穿电压-最小值

    1200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ROHM Semiconductor SCT2160KE.

SCT2160KE拓展信息

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