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ROHM Semiconductor SP8M21TB

Name: SP8M21TB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 2078-SP8M21TB
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SP8M21TB

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-SP8M21TB

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 45V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SP8M21TB ROHM Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 45V, 0.037ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SP8M21TB详情

技术参数

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ROHM Semiconductor SP8M21TB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD
Part Package Code

SOT
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Drain Current-Max (ID)

6 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e2
无铅代码

有
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铜
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

compliant
引脚数量

8
JESD-30代码

R-PDSO-G8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.037 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A
DS 击穿电压-最小值

45 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

2 W

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SP8M21TB拓展信息

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