ROHM Semiconductor SST2907AT116

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.6V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

200MHz

Power Dissipation (Max)

350mW

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-600mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

T2907A

元素配置

Single

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.6V

最大集电极电流

600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

60V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-600mA

VCEsat-最大值

0.6 V

关断时间-最大值（toff)

100ns

集电极-基极电容-最大值

7pF

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅