ROHM Semiconductor SST6427T116

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

50nA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500μA, 500mA

转换频率

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

VCEsat-最大值

1.5 V

集电极-基极电容-最大值

7pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant