ROHM Semiconductor SST6839T116

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

已出版

1998

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 10mA, 100mA

转换频率

140MHz

频率转换

140MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

集电极-基极电容-最大值

5pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅