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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.33706
10
¥3.148173
100
¥2.969973
500
¥2.801862
1000
¥2.643264
ROHM Semiconductor UMD9NFHATR
- 收藏
- 对比
UMD9NFHATR
2078-UMD9NFHATR
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
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PNP NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
--最小包装量--
¥
总价: ¥
UMD9NFHATR详情
ROHM Semiconductor UMD9NFHATR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
JESD-609代码
e2
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN和PNP
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
68 @ 5mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
转换频率
250MHz
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10k Ω
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
UMD9NFHATR拓展信息






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