Rohm Semiconductor UMH33NTN

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

UMT6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

400mA

Package Type

UMT

Typical Input Resistor

2.2

Collector Current (DC)

0.4(A)

Emitter-Collector Voltage (Max)

20(V)

DC Current Gain

820@10MA@5V

Emitter- Base Voltage VEBO

40 V

Pd - Power Dissipation

150 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

820

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Part # Aliases

UMH33N

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum Operating Frequency

35 MHz

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

20 V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

10

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

35 MHz

Manufacturer Part Number

UMH33NTN

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

1.77

系列

-

包装

卷带

JESD-609代码

e2

类型

NPN

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

附加功能

内置偏置电阻

子类别

Transistors

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

Dual

功率耗散

0.15(W)

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

820 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

500nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 3mA, 30mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20V

频率转换

35MHz

集电极电流-最大值(IC)

0.4 A

最小直流增益（hFE）

820

电阻基(R1)

2.2kOhms

连续集电极电流

0.4 A

电阻-发射极基极(R2)

-

集电极-发射器电压-最大值

20 V

产品类别

Bipolar Transistors - Pre-Biased

无铅

无铅