ROHM Semiconductor US6X3TR
- 收藏
- 对比
US6X3TR
2078-US6X3TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
6-SMD, Flat Leads
大陆
立即发货

TRANS NPN 12V 3A TUMT6
--最小包装量--
US6X3TR详情
ROHM Semiconductor US6X3TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
hFEMin
270
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
最大功率耗散
400mW
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
US6X
引脚数量
6
资历状况
不合格
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
360MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
250mV
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 30mA, 1.5A
转换频率
360MHz
集电极基极电压(VCBO)
15V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
US6X3TR拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor








哦! 它是空的。