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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.746281
10
¥0.704039
100
¥0.664188
500
¥0.626592
1000
¥0.591125
ROHM Semiconductor US6X8TR
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- 对比
US6X8TR
2078-US6X8TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-SMD, Flat Leads
大陆
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NPN NPN DRIVER TRANSISTOR
--最小包装量--
¥
总价: ¥
US6X8TR详情
ROHM Semiconductor US6X8TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
资历状况
不合格
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
功率 - 最大
400mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 25mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
转换频率
320MHz
频率转换
320MHz
最大耗散功率(Abs)
0.4W
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
US6X8TR拓展信息






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