IRF743
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Samsung IRF743

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型号

IRF743

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-IRF743

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF743 Samsung Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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IRF743详情

Samsung IRF743重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF743

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.07

  • Drain Current-Max (ID)

    8 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.8 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    33 A

  • DS 击穿电压-最小值

    350 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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