Samsung Electronics M378A5143DB0-CPB

表面安装

NO

终端数量

288

ECCN (US)

4A994.a

HTS

8542.32.00.71

Module

DRAM模块

Module Density

4Gbyte

Number of Chip per Module

8

Chip Density (bit)

4G

Data Bus Width (bit)

64

Maximum Clock Rate (MHz)

2133

Chip Configuration

512Mx8

Chip Package Type

78FBGA

Typical Operating Supply Voltage (V)

1.2

Minimum Operating Temperature (°C)

0

Maximum Operating Temperature (°C)

85

Supplier Temperature Grade

Commercial

ECC Support

无

Number of Ranks

Single

CAS Latency

15

Supplier Package

FBGA

Mounting

表面贴装

Package Length

11

Package Width

7.5

PCB changed

78

Package Description

DIMM, DIMM288,33

Package Style

微电子组件

Number of Words Code

512000000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Equivalence Code

DIMM288,33

Access Time-Max

0.18 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

M378A5143DB0-CPB

Clock Frequency-Max (fCLK)

1066 MHz

Number of Words

536870912 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.2 V

Package Code

DIMM

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.74

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

功能数量

1

Reach合规守则

compliant

引脚数量

78

JESD-30代码

R-XDMA-N288

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.26 V

电源

1.2 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.14 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

1.18 mA

组织结构

512Mx64

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

31.4 mm

内存宽度

64

待机电流-最大值

0.06 A

记忆密度

34359738368 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR内存模块

刷新周期

8192

访问模式

单库页面突发

自我刷新

YES

模块类型

288UDIMM

宽度

2.7 mm

长度

133.35 mm

RoHS状态

符合RoHS标准