Samsung Electronics M386A8K40BM1-CPB
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M386A8K40BM1-CPB
2107-M386A8K40BM1-CPB
存储卡
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DRAM Module DDR4 SDRAM 64Gbyte 288RDIMM
1最小包装量--
M386A8K40BM1-CPB详情
Samsung Electronics M386A8K40BM1-CPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
288
ECCN (US)
4A994.a
HTS
8473.30.11.40
Module
DRAM模块
Module Density
64Gbyte
Number of Chip per Module
36
Chip Density (bit)
16G
Data Bus Width (bit)
72
Maximum Clock Rate (MHz)
2133
Chip Configuration
4Gx4
Chip Package Type
FBGA
Typical Operating Supply Voltage (V)
1.2
Minimum Operating Temperature (°C)
0
Maximum Operating Temperature (°C)
85
Supplier Temperature Grade
Commercial
ECC Support
无
Number of Chip Banks
16
CAS Latency
15
Package Description
DIMM,
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
8000000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M386A8K40BM1-CPB
Number of Words
8589934592 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
零件状态
LTB
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.85 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-XDMA-N288
电源电压-最大值(Vsup)
1.26 V
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
8Gx72
座位高度-最大
31.4 mm
内存宽度
72
记忆密度
618475290624 bit
内存IC类型
DDR内存模块
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
模块类型
288RDIMM
宽度
3.9 mm
长度
133.35 mm
RoHS状态
符合RoHS标准
M386A8K40BM1-CPB拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
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Samsung Semiconductor
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