Samsung Electronics M471A1G43DB0-CPB
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M471A1G43DB0-CPB
2107-M471A1G43DB0-CPB
存储卡
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DRAM Module DDR4 SDRAM 8Gbyte 260USODIMM
1最小包装量--
M471A1G43DB0-CPB详情
Samsung Electronics M471A1G43DB0-CPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
260
Package Height
30
Package Length
69.6
Package Width
3.7(Max)
PCB changed
260
ECCN (US)
EAR99
HTS
8473.30.11.40
Module
DRAM模块
Module Density
8Gbyte
Number of Chip per Module
16
Chip Density (bit)
4G
Data Bus Width (bit)
64
Maximum Clock Rate (MHz)
2133
Chip Configuration
512Mx8
Chip Package Type
78FBGA
Minimum Operating Supply Voltage (V)
1.14
Typical Operating Supply Voltage (V)
1.2
Maximum Operating Supply Voltage (V)
1.26
Operating Current (mA)
890
ECC Support
无
Number of Ranks
Dual
CAS Latency
15
Supplier Package
USODIMM
Mounting
Socket
Package Description
DIMM, DIMM260,20
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
1000000000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIMM260,20
Access Time-Max
0.18 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M471A1G43DB0-CPB
Clock Frequency-Max (fCLK)
1066 MHz
Number of Words
1073741824 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.2 V
Package Code
DIMM
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.75
零件状态
Obsolete
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
260
JESD-30代码
R-XDMA-N260
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.26 V
电源
1.2 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.14 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
1.31 mA
组织结构
1Gx64
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
30.15 mm
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.12 A
记忆密度
68719476736 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR内存模块
刷新周期
8192
访问模式
双库页面突发
自我刷新
YES
模块类型
260USODIMM
宽度
3.7 mm
长度
69.6 mm
RoHS状态
符合RoHS标准
M471A1G43DB0-CPB拓展信息
Samsung Semiconductor
Samsung
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Samsung Semiconductor
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