Samsung Semiconductor IRF620
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IRF620
2107-IRF620
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
IRF620详情
Samsung Semiconductor IRF620重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Package Code
SFM
Package Description
TO-220, 3 PIN
Drain Current-Max (ID)
5 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Turn-off Time-Max (toff)
160 ns
Turn-on Time-Max (ton)
100 ns
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
20 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
雪崩能量等级(Eas)
85 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
40 W
环境耗散-最大值
40 W
IRF620拓展信息
Samsung Semiconductor
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Samsung Electro-Mechanics
Samsung Semiconductor
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