Samsung Semiconductor IRFI630A

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Drain Current-Max (ID)

9 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

162 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

3.1 W